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            vs1真空斷路器
            概述:
               “高壓真空斷路器”因其滅弧介質(zhì)和滅弧后觸頭間隙的絕緣介質(zhì)都是高真空而得名;真空斷路器其具有體積小、重量輕、適用于頻繁操作、滅弧不用檢修的優(yōu)點(diǎn),在配電網(wǎng)中應用較為普及。發(fā)展簡(jiǎn)史 1893年,美國的里頓豪斯提出了結構簡(jiǎn)單的真空滅弧室,并獲得了設計專(zhuān)利。1920年瑞典佛加公司第一次制成了真空開(kāi)關(guān)。1926年美國索倫森等公布的研究成果也顯示了在真空中分斷電流的可能性,但因分斷能力小,又受到真空技術(shù)和真空材料發(fā)展水平的限制,尚不能投入實(shí)際使用。隨著(zhù)真空技術(shù)的發(fā)展,50年代美國才制成第一批適用于切斷電容器組等特殊要求的真空開(kāi)關(guān),分斷電流尚停在4千安的水平。由于真空材料冶煉技術(shù)上的進(jìn)步和真空開(kāi)關(guān)觸頭結構研究上所取得的突破,1961年,美國通用電氣公司開(kāi)始生產(chǎn)15千伏、分斷電流為12.5千安的真空斷路器。1966年試制成15千伏、26千安和31.5千安的真空斷路器,從而使真空斷路器進(jìn)入了高電壓、大容量的電力系統。80年代中期,真空斷路器的分斷能力已達100千安。 中國從1958年開(kāi)始研制真空開(kāi)關(guān),1960年西安交通大學(xué)和西安開(kāi)關(guān)整流器廠(chǎng)共同研制成第一批6.7千伏、分斷能力為600安的真空開(kāi)關(guān);隨后又制成10千伏、分斷能力為 1.5千安的三相真空開(kāi)關(guān)。1969年華光電子管廠(chǎng)和西安高壓電器研究所制成了 10千伏、2千安單相快速真空開(kāi)關(guān)。70年代以后,中國已能獨立研制和生產(chǎn)各種規格的真空開(kāi)關(guān)。
               真空斷路器通??煞侄鄠€(gè)電壓等級。低壓型一般用于防爆電氣使用。像煤礦等等。
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